La tecnología Guangmai es profesional en la fabricación del chip LED SMD amarillo 3535 de 1W 3W 585nm 590nm 595nm.
La tecnología de semiconductores LED amarillos ha avanzado enormemente
Después de 57 años de desarrollo, los LED de luz visible han alcanzado todo color, proporcionando a los humanos festines visuales coloridos y fuentes de iluminación de alta eficiencia que ahorran energía. Sin embargo, durante mucho tiempo, el desarrollo de la eficiencia de la luz LED de colores (eficiencia de energía de la luz) está muy desequilibrado. Entre ellos, la eficiencia lumínica del LED amarillo es mucho menor que la de otros colores. Como resultado, la luz amarilla con alta eficiencia lumínica debe obtenerse mediante conversión de longitud de onda de fósforos. Este" eléctrico-óptico-óptico" La solución de tecnología de conversión es actualmente la tecnología principal de iluminación LED. Sin embargo, los fósforos tienen deficiencias inherentes en el proceso de conversión de luz a luz, como una gran pérdida de calor, una gran caída de calor y luz y una respuesta lenta, que restringen el rápido desarrollo de los LED en la dirección de la iluminación de alta calidad y alta Velocidad de comunicación de luz visible.
Por lo tanto, resolviendo el" brecha de luz amarilla" se ha convertido en un objetivo atractivo en este campo. ¿Qué tipo de sustrato, material, estructura de dispositivo, estructura de chip y equipo se puede utilizar para fabricar LED amarillos de alta eficiencia? No hay respuesta en casa y en el extranjero durante mucho tiempo.
En los dos sistemas de material de luz amarilla, a medida que la longitud de onda de AlGaInP cambia de luz roja a luz amarilla, la banda prohibida cambia de directa a indirecta y la eficiencia cae bruscamente. Este es un cuello de botella físico; mientras que el nitruro de indio y galio es una banda prohibida directa, que es la más grande. La dificultad es cultivar material de pozo cuántico de alta calidad y alto contenido de indio, galio y nitrógeno, lo que constituye un cuello de botella técnico. La composición de indio del pozo cuántico de LED amarillo es de aproximadamente un 30%, lo que obviamente excede la composición de indio del pozo cuántico azul en aproximadamente un 15%. Hay muchas dificultades en el crecimiento de nitrógeno de galio indio con alto contenido de indio: la baja temperatura de crecimiento provoca el agrietamiento del amoníaco, menos vacantes de nitrógeno, migración lenta del átomo y superficies rugosas, interfaces borrosas y de barrera con diferentes espesores, composición desigual del indio y segregación severa del indio. Separación de fases, InGaN / GaN, la polarización fuerte trae menos superposición de funciones de onda portadora, y así sucesivamente.
Recientemente, el grupo de investigación Jiang Fengyi de la Universidad de Nanchang publicó un artículo en Photonics Research: Diodos emisores de luz amarilla eficientes basados en InGaN, que demostró un gran avance en el diseño y la tecnología de fabricación de materiales LED de banda de luz amarilla. Basándose en los materiales LED azules originales basados en GaN / Si, la estructura del dispositivo y la estructura del chip, diseñaron nuevas estructuras de materiales, nuevos equipos de crecimiento y nuevos procesos. Transformaron los tres desajustes principales (gran desajuste del coeficiente de expansión térmica, gran desajuste de ancho de banda prohibida y gran desajuste constante de celosía) en tres ventajas principales.
El grupo de investigación inventó una tecnología y un método de crecimiento de material basado en cuadrículas. Se fabrica una rejilla regular sobre el sustrato para reemplazar las grietas irregulares, lo que elimina el efecto de acumulación de tensiones de GaN / Si y resuelve el problema de las grietas provocadas por el material. El problema de no poder fabricar chips emisores de luz también tiene la ventaja de cultivar materiales de nitruro de galio indio de alto rendimiento con alto contenido de indio debido al mantenimiento de GaN bajo tensión de tracción.
Los investigadores han inventado una estructura de chip LED a base de silicio con alta eficiencia de extracción de luz ajustando la dirección de la corriente, la posición de emisión de luz y la ruta de emisión de luz, que no solo resuelve el problema de la absorción de luz del sustrato y la luz de bloqueo de electrodos, sino que también tiene las ventajas de la emisión de luz por un solo lado y la calidad de las luces altas. La nueva capa de transición integrada desarrollada no solo resuelve el problema de la alta densidad de dislocaciones, sino que también utiliza de manera racional las dislocaciones para formar una estructura de dispositivo con grandes hoyos en V, mejora la ruta de transporte del orificio y mejora la eficiencia del LED.
Sobre la base de transformar los tres desajustes principales en tres ventajas principales, ajustaron la ruta de transporte del gas de reacción y el mecanismo de deposición, inventaron una cámara de reacción de estructura de manga coaxial densa y desarrollaron un alto componente de indio que es más propicio para la incorporación de indio. El equipo de crecimiento de material de nitruro de galio indio aumenta la temperatura de crecimiento del material, reduce el efecto de memoria y hace que el pozo cuántico y la interfaz de barrera sean empinados; impulsada por la densidad de corriente de 20 A / cm2 y 3 A / cm2, luz LED amarilla basada en silicio de 565 nm La eficiencia se ha aumentado al 24,3% y 33,7%, correspondientes a 149 lm / W y 192 lm / W, respectivamente, por lo tanto de manera efectiva Aliviando la brecha amarilla y resolviendo el problema de la falta de luz amarilla de alta eficiencia en los LED en el mundo.
La estructura del material es un sustrato de silicio, nitruro de galio, indio, con una estructura de pozos cuánticos múltiples con una unión PN tridimensional con grandes hoyos en V, y el chip es una estructura de película delgada emisora de luz de un solo lado.
Efecto de iluminación led smd de color amarillo y ámbar / naranja
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